Термический оксид кремниевого подложки 2-8 дюймов с слоем SiO2

Наш термический оксидный кремниевый подложка представляет собой специализированный полупроводниковый субстрат с равномерно выращенным слоем диоксида кремния (SiO2) на поверхности высококачественной отполированной кремниевой основы. Термический оксидный кремниевый подложка производится путем высокотемпературного термического окисления в контролируемой атмосфере печи, где кислород или водяной пар реагируют с поверхностью кремния при температурах выше 1000 градусов Цельсия, образуя плотный, высококачественный слой SiO2 с точным контролем толщины по всей поверхности подложки.

Мы производим термические оксидные кремниевые подложки диаметром от 2 до 8 дюймов, используя как CZ, так и FZ основы, чтобы удовлетворить различные требования приложений. Толщина оксида варьируется от тонких оксидов для затворов в несколько десятков нанометров до толстых полевых оксидов толщиной более 2 микрометров, все с точным контролем по спецификациям заказчика в узких пределах допуска. Мы предлагаем как сухое, так и влажное окисление: сухое окисление дает более плотные оксидные пленки с высокой диэлектрической прочностью, идеально подходящие для диэлектрика затвора, тогда как влажное окисление обеспечивает более высокую скорость роста для толстых оксидных слоев. Термически выращенный слой SiO2 обеспечивает отличные электрические изоляционные свойства, превосходную пассивацию поверхности и эффективную маскирующую способность для процессов ионной имплантации и диффузии, что делает термический оксидный кремниевый подложку незаменимым для многих этапов производства полупроводников.

Каждая термическая оксидная кремниевая подложка проходит строгую проверку качества, включая измерение толщины оксида с помощью эллипсометрии в нескольких точках, анализ однородности по поверхности подложки, обнаружение сквозных дефектов с помощью ртутного зонда, инспекцию частиц на поверхности и испытание на пробой диэлектрика для обеспечения надежной изоляционной производительности и стабильных электрических свойств. Оксидные слои характеризуются отличным покрытием ступенек, низкой плотностью дефектов и стабильным показателем преломления, что критично для производительности устройств и выхода продукции. Наши термические оксидные кремниевые подложки широко применяются в производстве интегральных схем, изготовлении силовых приборов, формировании структурных слоев MEMS, исследованиях диэлектрических слоев и в качестве базовых подложек для последующего нанесения тонких пленок и литографических процессов.

Категория параметров	Технические характеристики
Диаметр подложки	2 дюйма до 8 дюймов
Основная подложка	Отполированная кремниевая подложка CZ или FZ
Толщина оксидного слоя	10 нм (тонкий оксид для затвора) до 2 мкм (толстый полевой оксид); доступна индивидуальная толщина
Однородность толщины	≤ ±3%
Процесс окисления	Сухое термическое окисление, влажное термическое окисление
Особенности процесса	Сухое окисление: плотная структура пленки, высокое напряжение пробоя — идеально для оксида затвора Влажное окисление: высокая скорость роста — идеально для изготовления толстого оксидного слоя
Напряженность электрического поля пробоя	≥ 8 МВ/см
Диэлектрическая проницаемость	Стабильная и постоянная
Плотность сквозных дефектов	Чрезвычайно низкая
Легирование подложки	Тип N или тип P (по желанию)
Кристаллическая ориентация	<100> или <111>
Диапазон удельного сопротивления	Широкий диапазон (настраиваемый)
Обработка задней стороны	Сохранение оксида; удаление оксида шлифовкой/полировкой; золочение задней стороны
Документация по качеству	Отчет по многоточечному измерению толщины оксида для каждой партии, данные по однородности, результаты испытаний электрических характеристик
Применение	Диэлектрические слои ИС, пассивация силовых приборов, структурные слои MEMS, НИОКР в полупроводниковых процессах, лабораторное обучение

В качестве опытного поставщика термических оксидных кремниевых подложек мы предлагаем варианты роста как сухого, так и влажного оксида, с возможностью индивидуальных спецификаций по удельному сопротивлению основы, кристаллической ориентации и обработке задней поверхности, включая удаление оксида или металлизацию. Все термические оксидные кремниевые подложки обрабатываются и упаковываются в чистых помещениях класса 100, обеспечивая стабильное качество, на которое полагаются производители полупроводников и научно-исследовательские учреждения для изготовления устройств и экспериментальной работы. Мы предоставляем гибкие объемы заказов — от небольших партий для НИОКР до крупносерийного производства, с полной документацией по качеству и технической поддержкой для каждой партии продукции. По запросу мы также предлагаем услуги по индивидуальному паттернированию оксида и частичному окислению, позволяя клиентам получать предварительно обработанные подложки, ускоряющие циклы разработки устройств и сокращающие внутренние этапы обработки.