SOI кремниевая пластина 4-8 дюймов кремний на изоляторе

SOI кремниевый пластина (Silicon-On-Insulator) представляет собой передовую трехслойную архитектуру полупроводниковой подложки, состоящую из верхнего слоя кремния высокого качества для устройств, изолирующего слоя из погребенного оксида (BOX) и нижней подложки из кремниевой пластины. Наш ассортимент SOI кремниевых пластин охватывает диаметры от 4 до 8 дюймов с доступными вариантами структуры Bonded SOI (BESOI) и SIMOX, чтобы удовлетворить разнообразные требования приложений для передовых полупроводниковых устройств, требующих производительности, превосходящей возможности обычного объемного кремния.

Наша BESOI SOI кремниевая пластина изготавливается с помощью технологии склеивания пластин и smart-cut, при которой две отполированные кремниевые пластины соединяются с интерфейсом из оксидного слоя, после чего верхний слой точно истончается путем шлифовки и полировки для достижения точных спецификаций толщины кремния для устройства. SOI кремниевая пластина SIMOX производится путем имплантации кислородных ионов высокой дозы глубоко в кремниевую подложку с последующим высокотемпературным отжигом, формируя непрерывный погребенный оксидный слой под оставшимся поверхностным кремниевым слоем. Обе технологии обеспечивают характерные преимущества SOI, включая значительно сниженную паразитную емкость, меньший расход энергии, полную изоляцию устройства без утечек в переходах, устранение эффектов захвата и повышенную радиационную стойкость по сравнению с обычными объемными кремниевыми подложками.

Мы предлагаем полностью настраиваемые спецификации SOI кремниевых пластин, включая толщину верхнего кремниевого слоя от десятков нанометров до нескольких микрометров, толщину погребенного оксидного слоя от 100 нм до 2 микрометров, а также различные варианты удельного сопротивления и легирования подложки. Верхний слой устройства может поставляться в отполированном состоянии, готовом к обработке, или с дополнительным эпитаксиальным ростом, с типом легирования и удельным сопротивлением, точно адаптированными к требованиям конструкции устройства заказчика. Каждая SOI кремниевая пластина проходит комплексную характеристику, включая картирование толщины с помощью спектроскопической эллипсометрии, проверку качества кристалла с помощью рентгеновской дифракции, инспекцию дефектов поверхности с использованием оптического сканирования и тестирование целостности слоя BOX для обеспечения качества уровня устройства по всей подложке.

SOI кремниевая пластина обеспечивает значительные улучшения производительности в высокоскоростных радиочастотных устройствах, силовой электронике, автомобильных интегральных схемах, MEMS датчиках, радиационно-стойких аэрокосмических компонентах и передовом производстве CMOS. В качестве специализированного поставщика SOI кремниевых пластин мы тесно сотрудничаем с заказчиками для разработки индивидуальных спецификаций и поддержания постоянного контроля качества на протяжении всего производственного процесса, поставляя передовые подложки, которые обеспечивают производительность полупроводниковых устройств следующего поколения для наших глобальных партнеров в области безфабричного дизайна, контрактного производства и университетских исследовательских учреждений. Мы предоставляем комплексные отчеты о характеристиках с каждой поставкой и предлагаем технические консультации для заказчиков, переходящих с объемного кремния на устройства на основе SOI. Наша техническая команда также предоставляет услуги по консультациям по интеграции процессов, помогая заказчикам оптимизировать конструкции устройств и производственные процессы при внедрении технологии SOI, обеспечивая плавный переход от концепции к производству.