ЭПИ-пластина

Этот кремниевый и GaN эпитаксиальный продукт (ЭПИ), изготовленный с использованием основной технологии MOCVD с разнообразными настраиваемыми структурами эпитаксиальных слоев на подложках из сапфира, кремния или карбида кремния, обеспечивает превосходные электрические характеристики и служит важным основным материалом, широко используемым в потребительской, промышленной, военной и аэрокосмической электронике.

Основной эпитаксиальный материал: Нитрид галлия (GaN)

Распространённые материалы подложек: Сапфир/Кремний (Si)/Карбид кремния (SiC)

Стандартное количество квантовых ям: 5 квантовых ям в общем дизайне

Доступные типы проводимости: P/P++; N/N++; N/N+;N/N+/N++; N/P/P; P/N/N+

Опишите детали

Эпитаксиальная пластина (EPI) относится к полупроводниковой тонкой пленке, выращенной на подложке, которая в основном состоит из трёх частей: P-тип слоя, квантовой ямы и N-тип слоя. Нитрид галлия (GaN) является основным эпитаксиальным материалом на сегодняшний день, в то время как распространённые материалы подложек делятся на три категории: сапфир, кремний и карбид кремния. Квантовая яма обычно имеет структуру из 5 периодов. Металлоорганическое химическое осаждение из паровой фазы (MOCVD) является доминирующим производственным процессом. Как ключевой сегмент LED-индустрии, технология MOCVD требует сложных технических знаний и значительных капитальных вложений.

Обычные эпитаксиальные слои, многослойные эпитаксиальные структуры, эпитаксиальные слои с ультра-высоким сопротивлением и ультра-толстые эпитаксиальные слои могут быть изготовлены на кремниевых подложках. Сопротивление эпитаксиального слоя может превышать 1000 Ом-см, при этом доступен широкий диапазон типов проводимости, включая P/P++, N/N++, N/N+, N/N+/N++, N/P/P и P/N/N+.

Кремниевые эпитаксиальные пластины служат основным сырьём для производства широкого спектра полупроводниковых устройств и широко применяются в потребительской электронике, промышленной электронике, военной электронике и аэрокосмической электронике.

Технология кремний-на-сапфире (SOS) по сути является гетероэпитаксиальным процессом, при котором тонкая кремниевая пленка (обычно тоньше 0,6 мкм) выращивается на сапфировых пластинах. SOS относится к семейству технологий эпитаксии кремния на изоляторе (SOI) для CMOS-устройств. Благодаря своей природной радиационной стойкости, SOS в основном применяется в аэрокосмической и военной электронике.

Стандартным материалом подложки является высокочистый синтетический монокристаллический сапфир. Кремниевая тонкая пленка изготавливается путём термического разложения силана с последующим осаждением кремния на сапфировую подложку.

Ключевым преимуществом SOS является его превосходная электрическая изоляция, которая эффективно блокирует утечку паразитных токов, вызванных радиацией, к соседним компонентам. Однако коммерческое массовое внедрение SOS пока далеко от реализации, так как технология плохо адаптируется к современному высокоплотному производству транзисторов. Это ограничение связано с несовпадением решёток между кремнием и сапфиром, что приводит к образованию дислокаций, двойников и сдвигов в процессе эпитаксии SOS. Кроме того, кремниевые слои вблизи интерфейса с подложкой страдают от загрязнения алюминием, диффундирующим из сапфировой подложки.

Часто задаваемые вопросы

Могу ли я получить образцы?

Да.

Могу ли я использовать свой собственный логотип или дизайн на продукте?

Да, мы можем маркировать продукты в соответствии с вашими требованиями. Допускаются как внутренние, так и внешние этикетки.

У вас есть фабрика?

Да, у нас есть фабрика в Цзянсу. Добро пожаловать посетить нашу компанию и фабрику.

Какова производственная мощность вашего завода?

Наш основной акцент сделан на процессе производства и производственном цикле.

Когда будет осуществлена отправка?

Исходя из ваших потребностей, мы организуем отправку в тот же день для товаров, имеющихся на складе, а для товаров, отсутствующих на складе, мы уточним дату доставки. Доставка будет осуществлена в течение установленного срока.

Связанные продукты